دانلود مقاله شبیه سازی عددی رشد استوکیومتریک نقطه های کوانتومی SiC در یک راکتور پلاسمایی تحت word دارای 4 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد دانلود مقاله شبیه سازی عددی رشد استوکیومتریک نقطه های کوانتومی SiC در یک راکتور پلاسمایی تحت word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی دانلود مقاله شبیه سازی عددی رشد استوکیومتریک نقطه های کوانتومی SiC در یک راکتور پلاسمایی تحت word ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن دانلود مقاله شبیه سازی عددی رشد استوکیومتریک نقطه های کوانتومی SiC در یک راکتور پلاسمایی تحت word :

سال انتشار: 1388

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1388

تعداد صفحات: 4

چکیده:

رشد نقطه های کوانتومی (100) SiC/Si و بررسی فرایند رسیدن به یک ترکیب با استوکیومتریک بالا( [Si]/[C]=1:1) در حضور پلاسما، دارای اهمیت ویژه ای در صنعت میکرو/ نانوالکترونیک است. شبیه سازی عددی رشد نقطه های کوانتومی برای دو محیط پلاسما و گاز خنثی نشان می دهد که پلاسما نسبت به گاز خنثی دارای کارایی بهتری برای رسیدن به نقطه های کوانتومی استوکیومتریک SiC است. همچنین نتایج نشان می دهند که درحضور پلاسما آهنگ رشد بزرگتر بوده فاکتور استوکیومتریک اضافه اتم k St، در شرایط مشابه، نسبت به گاز خنثی بیشتر است.