دانلود تحقیق گذری بر SPM تحت word دارای 10 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد دانلود تحقیق گذری بر SPM تحت word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی دانلود تحقیق گذری بر SPM تحت word ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن دانلود تحقیق گذری بر SPM تحت word :

میکروسکپی پروب پیمایشگر (SPM) ، مجموعه تقریبا جدیدی از روشهای میکروسکوپی است که می‌تواند ساختار سطوح را با دقـت اتمـی اندازه‌گیری کنـد. SPM در ابتدا از STM -میکروسکپی تونل زنی پیمایشگر- نشأت گرفته‌است. جریان الکتریکی که در STM توسط تونل‌زنی الکترونها بین تیرک میکروسکوپ و سطح بوجود می‌آید، موجب آشکارسازی فاصله بین اتمها می‌شود. این تکنیک در کل تکنیک جدیدی جهت تصویربرداری از آرایش اتمهای روی سطح و نشان‌‌دادن فواصل واقعی آنهاست. هنوز ارتباط بین پدیده‌های سطحی که مخترعین STM به‌خاطر آن موفق به دریافت جایزه نوبل فیزیک در سال 1986 شدند، بطور کامل برای علم و فناوری مشخص نشده‌است. ازآنجا که سطح نمونه در STM باید هادی جریان الکتریسیته باشد، لذا در سال 1986 روش AFM - میکروسکپی نیروی اتمی- بوجود آمد تا به کمک آن بتوان سطوحی را که هادیهای خوبی نیستند نیز مورد بررسی قرار داد. بنابراین AFM روشی است که به خواص سطح بستگی نداشته و حوزه کاربرد بیشتری دارد. بنابراین تمام مواد را می‌توان توسط AFM مورد بررسی قرار داد. البته نه فقط ساختار سطحی مواد، بلکه بسیاری از خواص دیگر, همانند خواص مکانیکی، مغناطیسی و الکتریکی، نوری، حرارتی و شیمیایی آنها را می‌توان توسط تکنیکهای مبتنی بر AFM اندازه‌گیری نمود.
STM
مبنای کار STM اصل ساده‌ا‌ی است؛ تونل‌زنی الکترون بین دو الکترود به علت وجود میدان الکتریکی. اما عملی‌ساختن این اصل به‌منظور تصویربرداری در مقیاس اتمی از یک سطح، کار ساده‌ا‌ی نیست. برای اندازه‌گیری اثر تونل‌زنی باید فاصله بین دو الکترود در حدود 1 نانومتر بوده, سطوح بسیار تمیز باشد و سیستم نباید هیچگونه لرزشی داشته‌باشد تا بتوان اثر تونل‌زنی را به دقت اندازه‌گیری کرد.
مکانیک کوانتوم، رابطه‌ا‌ی نمایی بین جریان تونلی و فاصله بین الکترودها پیش‌بینی می‌کند. این وابستگی در سال 1981 توسط چند دانشمند (بینیگ, روهرر, گربر و ویبل ) با آبکاری تیرک وانادیوم و سطح پلاتین اندازه‌گیری شد و این پدیده بعنوان اختراع STM تلقی شد.
بررسی سطح سیلیکون 7*7 Si(111) با دقت اتمی در سال 1982 بعنوان انقلاب STM شناخته‌شد و از آن زمان تاکنون مقالات زیادی در مورد تصاویر STM منتشر شده‌است.

دانلود این فایل